НАПРАВЛЕННЫЙ СИНТЕЗ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ КАДМИЯ
(МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ СЕНСОРОВ)

Один И.Н.

Химический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова, кафедра неорганической химии.

Проведен комплекс исследований халькогенидных соединений кадмия, позволяющий получать фоточувствительные кристаллы и пленки для оптических сенсоров, для оптоэлектроники.

Тензиметрическим методом определены границы областей гомогенности CdS, CdSe, а также SiSe и дихалькогенидов Si, Ge. При исследовании гальваномагнитных и люминесцентных свойств монокристаллов CdS, CdSe с различным отклонением от стехиометрии найдены условия получения кристаллов с оптимальной интенсивностью фотолюминесценции (ИФЛ).

Построены P-T-x фазовые диаграммы систем Si-S (Se, Te). Исследованы T-x-y фазовые диаграммы систем Cd (Zn) -халькоген-легирующий компонент (ЛК) Si, Ge, Sn, B, Sb, Bi. Получены тройные соединения с высокой фоточувствительностью. Разработаны условия легирования кристаллов CdS, CdSe. В нонвариантных условиях получены легированные из паровой фазы халькогенидами Si, Ge, Sn, B, Sb, Bi монокристаллы CdS, CdSe. На основании изучения гальваномагнитных и люминесцентных свойств показано, что Ge, Sn, B, Sb, Bi являются электроактивными добавками и создают новые центры люминесценции в кристаллах CdS, CdSe. Для разбавленных магнитных полупроводников на основе кристаллов CdSe, CdTe, легированных примесью Mn, при изучении спектров люминесценции обнаружено образование магнитных поляронов. Получены слои селенида кадмия для мишеней видиконов (авторское свидетельство). Показано решающее влияние концентрации носителей заряда в кристалле CdSe, CdS на его сенсорные свойства. Легирование кремнием значительно увеличивает ИФЛ кристаллов CdS.