|
|
25.МБ.306. Многослойные электролитные мембраны
Mehrschichtige Elektrolytmembran. Uensal Oemer, Kiefer Joachim. Заявка 10218368 Германия, МПК 7 B 01 D 71/00, B 32 B 27/34. Gelanese Ventures GmbH. №10218368.6; Заявл. 25.04.2002; Опубл. 06.11.2003. Нем. С целью снижения скорости процесса "вымывания" кислоты (особенно, H3PO4) из полимерного электролита на базе полиазола (полиимидазол, полибензтриазол, политриазол и т. д.), а также уменьшения перенапряжения в топливном элементе и "набухаемости" электролита, предложено наносить на обе стороны электролита изолирующее покрытие толщиной ≤10 мкм (причем с катодной стороны толщина барьерного слоя должна быть больше, чем с анодной). В качестве материала для барьерного слоя лучше использовать полиперфторсульфоновую кислоту, из которой изготавливают катионообменные мембраны типа "Nation". Для увеличения сцепления защитного покрытия с электролитом можно использовать подслой, состоящий из смеси полимеров электролита и защитного покрытия. Технология изготовления предложения многослойных мембран подробно описана.
Ключевые слова: АКК мембраны, н многослойные, АКК электролиты
|
|
|
|
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.
Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается копирование
материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору
|