П.А. Хадеева, В.М. Шахова, Ю.В. Ломачук, Н.С. Мосягин, Л.В. Скрипников, А.В.Титов

Квантово-химическое исследование электронной структуры галогенидов иттербия

Аннотация. Проведено исследование кристаллов галогенидов иттербия с помощью метода подстраиваемого под соединение потенциала внедрения (compound-tunable embedding potential или CTEP) в рамках теории функционала плотности. Для дальнейшего исследования фрагментов кристаллов с использованием методов связанных кластеров была проведена оптимизация атомных базисных наборов на стехиометрически эквивалентных молекулярных системах. В качестве критерия проверки точности расчета свойств, локализованных на ядре тяжелого атома, был выбран химический сдвиг линий рентгеновского эмиссионного спектра K_α1 и K_α2 в YbHal₃относительно YbHal_2 (Hal = F, Cl), поскольку этот метод является уникальным средством для анализа парциальных электронных плотностей вблизи тяжелого ядра именно для соединений d- и f-элементов. Рассмотрены пять основных вариантов размеров базисных наборов на галогенах для проведения их калибровки. Достигнута стабильность результатов в расчетах методами связанных кластеров CCSD и CCSD(T) для молекулярных систем YbF₂, YbF₃, YbCl₂, YbCl₃.
Ключевые слова: прецизионные расчеты молекул, метод связанных кластеров, DFT, электронная структура кристаллов, псевдопотенциал остова, потенциал внедрения, химические сдвиги линий рентгеновского эмиссионного спектра, лантаноиды, галогениды иттербия
DOI: 10.55959/MSU0579-9384-2-2024-65-4-343-351

  Полный текст статьи в формате PDF

Вестник Московского Университета.
Химия 2024, том 65, № 4, стр. 343-351